Read full article
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
，详情可参考91视频
02 光鲜之下的技术瓶颈Seedance 2.0仍有很大提升空间尽管Seedance 2.0在可控性上迈出了一大步，但从技术层面审视，它距离完美的“世界模拟器”仍有显著差距。与Sora 2和Google Veo 3.1等竞品相比，Seedance 2.0也并非在所有方面都遥遥领先。
Netflix’s Warner Bros. deal includes Warner Bros. Games.